会员登录 - 用户注册 - 设为首页 - 加入收藏 - 网站地图 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货!

宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货

时间:2025-05-25 00:00:20 来源:言近旨远网 作者:市场数据 阅读:180次
10月31日消息,宏微科技披露投资者关系活动记录表显示,公司在半导体芯片及模块封装业务方向的研发已取得实质性进展,包括1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证;自主研发的SiC SBD芯片也已通过多家终端客户的可靠性验证和系统级验证,部分产品已形成小批量出货。在模块产品方面,车规级1200V SiC自研模块正在研制中,亦已通过可靠性验证。同时,公司表示会坚决拥护国家利好政策,结合战略规划和经营发展需要,用好回购、增持等资本运作工具提升公司投资价值。关于回购或增持计划,公司将按照法律法规要求及时履行信息披露义务。另外,公司在2024年第三季度,工控领域、新能源发电领域和新能源汽车领域的营收占比分别约为33%、26%和40%,整体营收结构相对稳定。

(责任编辑:财经专题)

推荐内容
  • 索罗斯基金重仓卫星制造商AST和英伟达
  • 普华和顺(01358.HK)10月31日耗资80.7万港元回购75万股
  • sc币的钱包地址
  • 韩国Z世代更喜欢RP和其他山寨币 而不是BTC和TH
  • stepichu教程怎么设置 stepichu如何设置
  • 各大科技公司在财报电话会议中提到了人工智能次数急剧增长